[发明专利]半导体传感器结构有效
| 申请号： | 201911155643.2 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111211219B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | M·科尼尔斯;M-C·韦基 | 申请（专利权）人： | TDK-迈克纳斯有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N52/80 | 分类号： | H10N52/80;H10N52/00;H10N52/01;G01R33/07 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括第一半导体晶片和第二半导体晶片的半导体传感器结构及其制造方法，第二半导体晶片具有衬底层，衬底层具有带有至少一个金属连接接触部的集成电路，第一半导体晶片具有第二导电类型的半导体层，其具有带有传感器区域的三维霍尔传感器结构，在前侧上具有彼此间隔开的至少三个第一金属连接接触部，在背侧上具有彼此间隔开的至少三个第二金属连接接触部，连接接触部分别构造在第二导电类型的高掺杂的半导体接触区域上并且在垂直于前侧的投影中错位地布置。第一半导体晶片布置在第二半导体晶片之上，至少一个第二连接接触部至少部分地布置在集成电路的金属连接接触部之上并且材料锁合地连接，从而在霍尔传感器结构与集成电路之间形成电的有效连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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