[发明专利]激光器芯片制备方法和激光器在审
| 申请号： | 201911149650.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825415A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;陈长安 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙) 44351 | 代理人： | 刘云青 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光器芯片制备方法，包括：提供激光巴条，激光巴条包括相背的第一腔面和第二腔面；通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理，其中，激光辐射的持续时间为10秒至600秒。本发明提供的激光器芯片制备方法通过激光辐射的方式对激光巴条的腔面进行退火处理，能够减少腔面的光吸收，提高腔面的带隙宽度，降低腔面的灾变性光学镜面损伤，增大激光器芯片的最大输出功率。本发明还提供一种激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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