[发明专利]激光器芯片制备方法和激光器在审
| 申请号： | 201911149650.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825415A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;陈长安 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙) 44351 | 代理人： | 刘云青 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器 芯片 制备 方法 | ||
1.一种激光器芯片制备方法，其特征在于，包括：
提供激光巴条，所述激光巴条包括相背的第一腔面和第二腔面；
通过激光辐射的方式对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理，其中，所述激光辐射的持续时间为10秒至600秒。
2.根据权利要求1所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，所述激光巴条的数量为两个或多于两个，在所述通过激光辐射的方式对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，所述激光器芯片制备方法还包括：
堆叠两个或多于两个的所述激光巴条，并使所述第一腔面均处于同一平面，以及所述第二腔面均处于同一平面。
3.根据权利要求1或2所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，在所述通过激光辐射的方式对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，所述激光器芯片制备方法还包括：
在所述第一腔面和所述第二腔面分别形成钝化层；
所述通过激光辐射的方式对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理，包括：
通过激光辐射的方式透过所述钝化层对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理。
4.根据权利要求3所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为由三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽中的至少一种形成的单层或多层结构。
5.根据权利要求1所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，在所述通过激光辐射的方式对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，所述激光器芯片制备方法还包括：
向所述第一腔面和所述第二腔面分别注入离子。
6.根据权利要求1所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，所述提供激光巴条包括：
提供外延片；
对所述外延片进行解理以形成所述激光巴条。
7.根据权利要求1所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，所述激光的波长为250nm至1500nm。
8.根据权利要求1所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，所述激光经由激光光源发出，所述激光光源发出所述激光时的功率为100W/cm2至1MW/cm2。
9.根据权利要求1所述的激光器芯片制备方法，其特征在于，在所述通过激光辐射的方式对所述第一腔面的量子阱区域和所述第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，所述激光器芯片制备方法还包括：
在所述第一腔面形成增透膜；
在所述第二腔面形成反射膜。
10.一种激光器，其特征在于，包括：
由权利要求1-9任一项所述的激光器芯片制备方法制成的激光器芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中光工业技术研究院，未经深圳市中光工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911149650.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
