[发明专利]激光器芯片制备方法和激光器

说明书

本发明提供一种激光器芯片制备方法，包括：提供激光巴条，激光巴条包括相背的第一腔面和第二腔面；通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理，其中，激光辐射的持续时间为10秒至600秒。本发明提供的激光器芯片制备方法通过激光辐射的方式对激光巴条的腔面进行退火处理，能够减少腔面的光吸收，提高腔面的带隙宽度，降低腔面的灾变性光学镜面损伤，增大激光器芯片的最大输出功率。本发明还提供一种激光器。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种激光器芯片制备方法和激光器。

背景技术

在半导体激光器领域中，灾变性光学镜面损伤(Catastrophic Optical Damage，COD)是影响半导体激光器的最大输出功率的重要因素，如何降低激光器的腔面的COD已成为重要的研究课题。

发明内容

本发明提出了一种激光器芯片制备方法和激光器以解决以上问题。

本发明实施例通过以下技术方案来实现上述目的。

第一方面，本发明实施例提供一种激光器芯片制备方法，包括：提供激光巴条，激光巴条包括相背的第一腔面和第二腔面；通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理，其中，激光辐射的持续时间为10秒至600秒。

在一个实施例中，激光巴条的数量为两个或多于两个，在通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，激光器芯片制备方法还包括：堆叠两个或多于两个的激光巴条，并使第一腔面均处于同一平面，以及第二腔面均处于同一平面。

在一个实施例中，在通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，激光器芯片制备方法还包括：在第一腔面和第二腔面分别形成钝化层；通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理，包括：通过激光辐射的方式透过钝化层对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理。

在一个实施例中，钝化层为由三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二钽中的至少一种形成的单层或多层结构。

在一个实施例中，在通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，激光器芯片制备方法还包括：向第一腔面和第二腔面分别注入离子。

在一个实施例中，提供激光巴条包括：提供外延片；对外延片进行解理以形成激光巴条。

在一个实施例中，激光的波长为250nm至1500nm。

在一个实施例中，激光经由激光光源发出，激光光源发出激光时的功率为100W/cm²至1MW/cm²。

在一个实施例中，在通过激光辐射的方式对第一腔面的量子阱区域和第二腔面的量子阱区域进行退火处理之前，激光器芯片制备方法还包括：在第一腔面形成增透膜；在第二腔面形成反射膜。

第二方面，本发明实施例提供一种激光器，激光器包括由上述任一实施例的激光器芯片制备方法制成的激光器芯片。

本发明提供的激光器芯片制备方法和激光器通过激光辐射的方式对激光巴条的腔面进行退火处理，能够减少腔面的光吸收，提高腔面的带隙宽度，降低腔面的灾变性光学镜面损伤，增大激光器芯片的最大输出功率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术提供的原子扩散技术的示意图。