[发明专利]一种增大有源区有效面积的方法有效
| 申请号： | 201911133418.9 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110729293B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 雷海波;田明;张艳;李润领 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种增大有源区有效面积的方法，有源区刻蚀形成之后对单个晶片进行光阻去除与清洗；其中HF溶液清洗90s，SPM清洗剂清洗60s，SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗30s。有源区氮化硅回刻之后对单个晶片进行清洗；O3清洗30s；SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗剂清洗30s；SC2清洗剂清洗15s；STI区薄氧化层形成之前对单个晶片进行清洗，O3清洗30s，HF溶液清洗6min；SC1清洗剂清洗30s，SCN清洗剂清洗30s；SC2清洗15s。本发明将批量作业方式改为单个晶片的作业方式，改进清洗溶液的化学配比，减小晶片被清洗时间，在有源区被清洗干净的基础上，保留有源区的有效面积，增加MOS器件沟道宽度，改善SRAM均一性，提高SRAM性能，极大提升了各种MOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 有源 有效面积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增大有源区有效面积的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、刻蚀形成有源区；/n步骤二、所述有源区刻蚀形成之后对单个晶片进行光阻去除与清洗；/n步骤三、对所述有源区氮化硅进行回刻；/n步骤四、所述有源区氮化硅回刻之后对所述单个晶片进行清洗；/n步骤五、STI区薄氧化层形成之前对所述单个晶片进行清洗。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911133418.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
