[发明专利]一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法有效
| 申请号： | 201911114902.7 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110854179B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王清波;薛东风;赵杰;薛智民;孙有民;杜欣荣;卓青青 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 郭瑶 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位层的自建电场。该自建电场抑制总剂量辐射在二氧化硅绝缘层中产生的正电荷向硅‑二氧化硅界面运动，从而减小辐射诱生正电荷到达硅‑二氧化硅界面并形成新的界面态的数量，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自建 电场 辐射 加固 双极晶体管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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