[发明专利]一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法

权利要求书

1.一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构，其特征在于，包括自下至上依次设置的双极晶体管主体(100)、绝缘层(6)、地电位层(8)、绝缘介质层(11)和电路布线互连层(7)；所述绝缘层(6)覆盖在双极晶体管主体(100)上表面，绝缘层(6)上开设有电位电极接触窗口及双极晶体管电极引出接触窗口，绝缘层(6)上表面覆盖有地电位层(8)，所述地电位层(8)包括地电位电极(81)和多个双极晶体管引出电极(82)；所述地电位层(8)上表面覆盖有绝缘介质层(11)，所述绝缘介质层(11)上开设有电极引出接触窗口(12)，绝缘介质层(11)上表面覆盖有电路布线互连层(7),所述电路布线互连层(7)通过电极引出接触窗口(12)和双极晶体管引出电极(82)连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构，其特征在于，所述地电位层(8)的材料为铝硅铜或者掺杂多晶硅。

3.根据权利要求1所述的一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构，其特征在于，所述电路布线互连层(7)由铝硅铜形成。

4.根据权利要求1所述的基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构，其特征在于，所述绝缘层(6)材料为二氧化硅，厚度为(500nm～800nm)±10％。

5.根据权利要求1所述的一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构，其特征在于，所述绝缘介质层(11)材料为二氧化硅，厚度为(500nm～800nm)±10％。

6.一种权利要求1所述的基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在硅片上进行不同区域杂质选择性掺杂，得到双极晶体管主体(100)，然后在双极晶体管主体(100)上形成绝缘层(6)；

步骤2、在绝缘层(6)上刻蚀形成地电位电极接触窗口(15)及双极晶体管电极引出接触窗口(12)；

步骤3、在步骤2制得的产品表面淀积第一金属层(10)；

步骤4、在第一金属层(10)上刻蚀形成地电位层；

步骤5、在步骤4制得的产品上用化学气相淀积形成金属间绝缘介质层(11)；

步骤6、在金属间绝缘介质层(11)上刻蚀形成双极晶体管电极引出接触窗口(12)；

步骤7、在步骤6得到的产品表面淀积第二金属层(13)；

步骤8、在第二金属层(13)上刻蚀形成电路布线互连层(7)。

7.根据权利要求6所述的基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，第一金属层(10)的材料为铝硅铜或者掺杂多晶硅。