[发明专利]一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911114882.3 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828549B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 郭瑶 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横向扩散区表面形成一个环形的P+掺杂区，提高P型掺杂横向扩散区表面P型杂质浓度，避免因总剂量辐射导致双极型晶体管的P型掺杂区表面耗尽和反型，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护环 掺杂 辐射 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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