[发明专利]SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201911092363.1 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111188089B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的SiC单晶制造装置是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，坩埚(1)包含坩埚下部(1A)和坩埚上部(1B)，坩埚下部(1A)能够在内部收纳SiC单晶用原料(M)，且具有底部(1Aa)和侧部(1Ab)，坩埚上部(1B)具有顶部(1Ba)和侧部(1Bb)，顶部(1Ba)设有用于设置籽晶(SD)的籽晶设置部(1Bc)，在坩埚下部(1A)的侧部(1Ab)的外周(1AA)设置阳螺纹(1AAa)，在坩埚上部(1B)的侧部(1Bb)的内周(1BB)设置与阳螺纹螺合的阴螺纹(1BBa)，SiC单晶制造装置具备旋转机构(10)，旋转机构(10)使坩埚上部(1B)和坩埚下部(1A)中的至少一者旋转，使坩埚上部(1B)和坩埚下部(1A)相对地上下移动。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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