[发明专利]SiC单晶制造装置和SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201911092363.1 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111188089B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 装置 方法 | ||
1.一种SiC单晶制造装置，是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，
所述坩埚包含坩埚下部和坩埚上部，所述坩埚下部具有底部和侧部，且能够在内部收纳SiC单晶用原料，所述坩埚上部具有顶部和侧部，在所述顶部设置有籽晶设置部，
在所述坩埚下部的侧部的外周设置阳螺纹，
在所述坩埚上部的侧部的内周设置与所述阳螺纹螺合的阴螺纹，
所述SiC单晶制造装置具备旋转机构，所述旋转机构使所述坩埚上部和所述坩埚下部中的至少一者旋转，使所述坩埚上部和所述坩埚下部相对地上下移动，
所述旋转机构具有圆筒体和侧部突起部，所述圆筒体的内径大于所述坩埚上部的外径，且具有从上端和下端中的至少一者切入的槽部，所述侧部突起部位于所述坩埚上部的侧部的外周，
在所述侧部突起部被插入到所述圆筒体的槽部中的状态下，使所述坩埚上部相对于所述坩埚下部相对地旋转。
2.一种SiC单晶制造装置，是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，
所述坩埚包含坩埚下部和坩埚上部，所述坩埚下部具有底部和侧部，且能够在内部收纳SiC单晶用原料，所述坩埚上部具有顶部和侧部，在所述顶部设置有籽晶设置部，
在所述坩埚下部的侧部的外周设置阳螺纹，
在所述坩埚上部的侧部的内周设置与所述阳螺纹螺合的阴螺纹，
所述SiC单晶制造装置具备旋转机构，所述旋转机构使所述坩埚上部和所述坩埚下部中的至少一者旋转，使所述坩埚上部和所述坩埚下部相对地上下移动，
所述旋转机构具有顶部突起部和板，所述顶部突起部位于所述坩埚上部的顶部的上表面，所述板具有嵌入所述顶部突起部的嵌合部，
在所述顶部突起部被插入到所述板的嵌合部中的状态下，使所述坩埚上部相对于所述坩埚下部相对地旋转。
3.一种SiC单晶的制造方法，是使用权利要求1或2所述的SiC单晶制造装置制造SiC单晶的方法，具有以下工序：
在SiC单晶的生长中，以所述顶部与所述底部的距离变大的方式使所述坩埚上部和所述坩埚下部中的至少一者旋转，使所述坩埚上部和所述坩埚下部相对地上下移动。
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