[发明专利]半导体结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201911089310.4 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786678B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括：一第一碳纳米管，一半导体层，以及一第二碳纳米管，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面，并与第一表面直接接触，该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面，并与该第二表面直接接触，且所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，所述半导体层包括一n型半导体层和一p型半导体层，该n型半导体层和p型半导体层均为二维材料，且该n型半导体层和p型半导体层层叠设置并在垂直于所述半导体层的方向上形成一p‑n结。本发明还提供一种采用上述半导体结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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