[发明专利]包括碳化硅本体的半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201911082002.9 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111162127B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | F.格拉斯;A.S.拜耳;W.伯格纳;B.恩格勒特;C.施特伦格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
包括碳化硅本体的半导体器件和制造方法。一种碳化硅本体包括具有第一导电类型的漂移结构、本体区和屏蔽区。本体区和屏蔽区具有第二导电类型并且位于碳化硅本体的第一表面和漂移结构之间。第一和第二沟槽栅极条延伸到碳化硅本体中。本体区与第一沟槽栅极条的第一侧壁接触。屏蔽区与第二沟槽栅极条的第二侧壁接触。第二侧壁在与第一表面平行的横向第一方向上具有第一长度（L1）。第一导电类型的补充区与第二侧壁的一个或多个界面区接触。一个或多个界面区具有沿第一方向的组合的第二长度（L2 |
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| 搜索关键词： | 包括 碳化硅 本体 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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