[发明专利]一种压接式功率模块及其制备方法有效
申请号: | 201911068924.4 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN112768438B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 敖日格力;刘洋;叶怀宇;张国旗 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/50 |
代理公司: | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人: | 彭随丽 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种压接式功率模块,包括:堆叠设置的至少一层功率模块层,所述功率模块层包括由上至下设置的第一功率模块层,及第二功率模块层;所述第二功率模块层包括基板,及设置在基板上n*m个凸台,每个所述凸台上设置一个子单元芯片;所述第二功率模块层还包括n个用于连接每行子单元芯片栅极的信号传输条,所述信号传输条包括m层堆叠集成的信号传输子条,每个信号传输子条用于传输一个子单元芯片的信号;n1,m1。本发明解决了现有压接式功率模块内部子单元芯片难以单独排除故障的技术问题,可实现功率模块内部子单元芯片的单独控制和检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 压接式 功率 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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