[发明专利]带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法有效
| 申请号： | 201911066355.X | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN111081629B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;刘炎;蔡耀;周杰;刘胜 | 申请（专利权）人： | 宁波华彰企业管理合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L23/544 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 315832 浙江省宁波市北仑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法，对准标记制作方法包括：步骤1：提供第一组硅片，通过光刻和刻蚀工艺形成空腔结构；步骤2：提供第二组硅片，通过光刻和刻蚀工艺在表面预定位置处形成至少两个凹槽；步骤3：将第二组硅片的上下表面进行氧化处理形成氧化层，凹槽中应填充满氧化物，然后对氧化层进行磨平；步骤4：将两组硅片进行键合，得到带空腔SOI晶圆；步骤5：刻蚀掉带空腔SOI晶圆顶部的氧化物，并研磨顶部硅片至被氧化物填充的凹槽的表面处停止，将氧化物填充的凹槽作为空腔的对准标记，其中，根据对准标记与各个空腔的相对位置关系，确定带空腔SOI晶圆上所有的空腔的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 soi 对准 标记 制作方法 位置 确定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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