[发明专利]带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法

权利要求书

1.一种带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：提供第一组硅片，通过光刻和刻蚀工艺形成空腔结构；

步骤2：提供第二组硅片，通过光刻和刻蚀工艺在表面预定位置处形成至少两个凹槽；

步骤3：将所述第二组硅片的上下表面进行氧化处理形成氧化层，所述凹槽中应填充满氧化物，然后对所述氧化层进行磨平；

步骤4：将所述第一组硅片和所述第二组硅片进行键合，使所述第一组硅片带有所述空腔的一面和所述第二组硅片带有凹槽的一面相接触，得到带空腔SOI晶圆；

步骤5：刻蚀掉所述带空腔SOI晶圆顶部的氧化物，并研磨顶部硅片至被氧化物填充的所述凹槽的表面处停止，将氧化物填充的所述凹槽作为所述空腔的对准标记，

其中，根据所述对准标记与各个所述空腔的相对位置关系，确定所述带空腔SOI晶圆上所有的所述空腔的位置。

2.根据权利要求1所述的带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法，其特征在于：

其中，在步骤2中，所述凹槽的位置应与所述空腔的边缘相对应，并且不与所述空腔相重叠。

3.根据权利要求1所述的带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法，其特征在于：

其中，所述空腔的横截面形状为任意多边形或者圆形，

所述凹槽的横截面形状为任意多边形或者圆形。

4.根据权利要求3所述的带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法，其特征在于：

其中，所述凹槽的横截面形状为矩形。

5.根据权利要求1所述的带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法，其特征在于：

其中，所述预定位置为预设的所述凹槽与所述空腔的边缘特征点的相对位置，

根据所述预定位置与各个所述空腔边缘特征点位置的相对三维坐标关系，确定所述带空腔SOI晶圆上所有的所述空腔的三维位置信息。

6.根据权利要求1所述的带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法，其特征在于：

其中，磨平处理采用化学机械研磨技术。

7.带空腔SOI晶圆中空腔位置的确定方法，其特征在于：

采用所述权利要求1至6中任意一项所述的对准标记制作方法制得具有对准标记的带空腔SOI晶圆；

然后根据对准标记与各个空腔的相对位置关系，确定所述带空腔SOI晶圆上所有的所述空腔的位置。