[发明专利]InSb晶体生长的单晶炉在审
| 申请号： | 201911058138.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110904510A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 柏伟;刘江高;徐强强;刘铭 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/22 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 秦莹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InSb晶体生长的单晶炉，所述单晶炉包括：设置于石英坩埚上方的倒流隔热层，所述倒流隔热层通过固定杆架连接于提拉装置上，所述倒流隔热层的底端以一定的锥角倾斜度向石英坩埚中间的InSb晶体方向倾斜，用于在提拉装置的带动下，在InSb晶体生长的不同阶段根据实际的生长界面形状进行相应的位置调节，在InSb晶体生长过程中，对于已生长出的晶体部分定向屏蔽或反射一定的辐射热，改变单晶炉热场结构；所述固定杆架，一端与倒流隔热层连接，并穿过单晶炉的炉壁，另一端与提拉装置连接，用于在提拉装置的带动下带动倒流隔热层上下运动；所述提拉装置，通过固定杆架连接倒流隔热层，用于通过所述固定杆架带动所述倒流隔热层上下运动。 | ||
| 搜索关键词： | insb 晶体生长 单晶炉 | ||
【主权项】：
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