[发明专利]闪存器件的形成方法在审
| 申请号： | 201911057262.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767658A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 田伟思;邹荣;张金霜;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明提供的闪存器件的形成方法中，在所述栅极结构的侧面和顶面以及所述半导体衬底表面依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，通过先去除所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面的所述第三介质层，将所述第二介质层暴露出来，再通过湿法刻蚀去除暴露出的所述第二介质层。湿法刻蚀的选择比较高，易于控制，能够仅去除暴露出的所述第二介质层；由此能够避免对所述半导体衬底的刻蚀损伤，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 去除 半导体衬底表面 湿法刻蚀 栅极结构 顶面 暴露 刻蚀损伤 闪存器件 衬底 半导体 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，所述闪存器件的形成方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；/n依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第二介质层与所述第一介质层和所述第三介质层的材料不同，所述第一介质层覆盖所述栅极结构的侧面和顶面以及所述半导体衬底表面；/n去除所述栅极结构顶面和所述半导体衬底表面的所述第三介质层，暴露出所述第二介质层的部分；/n通过湿法刻蚀去除暴露出的所述第二介质层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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