[发明专利]一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺在审
| 申请号： | 201911055242.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110760818A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘佳晶;陈艳明;叶武阳;温丽娜 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 22206 长春市吉利专利事务所 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，属于半导体制造领域，本发明是以三甲基铝为铝源，以臭氧为氧源，氮气为载气，衬底为硅片，设置原子层沉积系统反应腔温度为320℃～380℃，制备氧化铝薄膜，本工艺使得温度升高，既可以提高氧化铝薄膜的生长速率，又不会因为温度过高而降低薄膜的质量。同时抑制了高温退火可能对前期工艺性能所造成的影响，使得材料生长过程不再需要任何的加热过程，极大的降低了制造过程中的能源消耗，并使其片内均匀性可达0.5％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝薄膜 半导体制造领域 原子层沉积技术 原子层沉积系统 氮气 片内均匀性 材料生长 高温退火 加热过程 能源消耗 三甲基铝 温度过高 制造过程 生长 反应腔 氧化铝 硅片 衬底 铝源 氧源 载气 臭氧 制备 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、设定原子层沉积系统反应腔温度为320℃～380℃，压力值控制在1.19torr～1.3torr之间；/n步骤二、利用原子层沉积法制备氧化铝薄膜，具体制备过程如下：/n①向原子层沉积系统反应腔通入第一反应物三甲基铝，流量为200sccm～400sccm，通入时间为2s～7s；/n②通入氮气N2吹扫三甲基铝，通入时间为3s～10s；/n③通入第二反应物臭氧O3，通入时间为10s～35s；/n④继续通入氮气N2，时间为5s～20s；/n步骤①至步骤④形成一个循环，重复该循环，得到氧化铝薄膜。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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