[发明专利]一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺在审
| 申请号： | 201911055242.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110760818A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘佳晶;陈艳明;叶武阳;温丽娜 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 22206 长春市吉利专利事务所 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化铝薄膜 半导体制造领域 原子层沉积技术 原子层沉积系统 氮气 片内均匀性 材料生长 高温退火 加热过程 能源消耗 三甲基铝 温度过高 制造过程 生长 反应腔 氧化铝 硅片 衬底 铝源 氧源 载气 臭氧 制备 薄膜 | ||
1.一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、设定原子层沉积系统反应腔温度为320℃～380℃，压力值控制在1.19torr～1.3torr之间；
步骤二、利用原子层沉积法制备氧化铝薄膜，具体制备过程如下：
①向原子层沉积系统反应腔通入第一反应物三甲基铝，流量为200sccm～400sccm，通入时间为2s～7s；
②通入氮气N2吹扫三甲基铝，通入时间为3s～10s；
③通入第二反应物臭氧O3，通入时间为10s～35s；
④继续通入氮气N2，时间为5s～20s；
步骤①至步骤④形成一个循环，重复该循环，得到氧化铝薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，所述步骤一中设定原子层沉积系统反应腔温度为350℃。
3.根据权利要求1或2所述的一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，所述步骤二利用原子层沉积法制备氧化铝薄膜制备过程如下：通入第一反应物三甲基铝，流量为300sccm，通入时间为5s；通入氮气N2吹扫三甲基铝，通入时间为7s；通入第二反应物臭氧O3，通入时间为20s；继续通入氮气N2，时间为10s；步骤①至步骤④形成一个循环，重复该循环，得到氧化铝薄膜。
4.根据权利要求3所述的一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，步骤二中所述循环重复178次，氧化铝薄膜的厚度为
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
