[发明专利]集成电路装置的制造方法在审
| 申请号： | 201911043913.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128857A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 巫凯雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路装置的制造方法。本公开实施例提供具有互连结构的集成电路以及形成该集成电路的方法。在一实施例中，本申请公开的方法包括接收一工作件，其包含在该工作件上的介电层中的第一凹槽，沉积接触填充物于第一凹槽之中且于介电层之上、以形成接触部件，平坦化工作件的顶面以移除位于介电层上的接触填充物；沉积层间介电质层在经平坦化的工作件的顶面之上，形成第二凹槽于层间介电质层之中，以暴露介电层中的接触填充物，将工作件浸泡于室温离子液体以凹蚀接触填充物。其中，形成接触填充物的材料可溶于室温离子液体。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
