[发明专利]集成电路装置的制造方法

说明书

一种集成电路装置的制造方法。本公开实施例提供具有互连结构的集成电路以及形成该集成电路的方法。在一实施例中，本申请公开的方法包括接收一工作件，其包含在该工作件上的介电层中的第一凹槽，沉积接触填充物于第一凹槽之中且于介电层之上、以形成接触部件，平坦化工作件的顶面以移除位于介电层上的接触填充物；沉积层间介电质层在经平坦化的工作件的顶面之上，形成第二凹槽于层间介电质层之中，以暴露介电层中的接触填充物，将工作件浸泡于室温离子液体以凹蚀接触填充物。其中，形成接触填充物的材料可溶于室温离子液体。

技术领域

本发明实施例涉及一种集成电路装置的制造方法，特别涉及一种利用室温离子液体进行蚀刻的方法。

背景技术

半导体集成电路工业经历了快速的成长。在集成电路的演进过程中，当几何尺寸(即可使用生产工艺创建的最小组件(或线))降低时，功能密度(即单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加。工艺的微缩化通常会带来增加生产效率和降低相关成本的好处。然而，这样的微缩化也会增加设计与制造这些包含集成电路的装置的复杂度。制造技术的进步使得越来越复杂的设计能以精确及可靠的方式制造。

不只是装置制造上有所进步，在耦合装置的导体网络的制造上也有所进步。在这方面，集成电路可包括互连结构以电性耦合电路装置(例如：鳍式场效晶体管(Fin-likeField Effect Transistors,FinFETs)，多栅极场效晶体管(Multiple-gate FETs,MuFETs)、栅极全绕式晶体管(Gate-all-around FETs,GAAFETs)、平面式场效晶体管(planar FETs)、存储器、双极性接面型晶体管(Bipolar-Junction Transistors,BJTs)、发光二极管(Light-Emitting Diodes,LEDs)和其他主动及/或被动装置等等)。互连结构可包括垂直推叠的任何数量的介电层，其中导电线在层中水平延伸。导孔可垂直延伸以将相邻层中的导电线互相连接。同样地，接触部件可在导电线与基底层级(substrate-level)部件之间垂直延伸。线路、导孔和接触部件一起乘载装置之间的信号、电源和接地，并使他们作为电路而运行。

发明内容

本发明实施例提供一种在集成电路装置中形成低电阻接触件的方法，该方法包括：接收一工作件，包括在工作件上的介电层中的第一凹槽。接着，沉积接触填充物于第一凹槽之中且于介电层之上，以形成接触部件。之后，平坦化工作件的顶面以移除位于介电层上的接触填充物，并沉积层间介电质层在经平坦化的工作件的顶面之上。接着，形成第二凹槽于层间介电质层之中，以暴露介电层中的接触填充物。之后，将工作件浸泡于室温离子液体中以凹蚀接触填充物，其中形成接触填充物的材料可溶于室温离子液体中。接着，沉积导电层于经凹蚀的接触填充物之上。

本发明实施例提供一种在集成电路装置凹蚀接触件的方法，该方法包括：接收一工作件，其中包含暴露在凹槽底面的接触件，该凹槽在位于工作件上的层间介电质层之中。接着，使用包含室温离子液体的蚀刻剂溶液凹蚀接触件，其中形成接触件的材料可溶于室温离子液体中。

本发明实施例提供一种在集成电路装置中形成低电阻接触件的方法，包括：接收一工作件，其包括暴露在凹槽的底面的接触件，该凹槽在位于工作件上的层间介电质层之中，其中该接触件与集成电路装置的栅极结构或源极/漏极部件电性耦合。将该工作件浸泡于室温离子液体中以凹蚀接触填充物，其中该接触填充物可溶于室温离子液体中。接着，沉积导电层于经凹蚀的接触填充物之上。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1A和图1B是根据本发明实施例的各种面向，示出具有互连结构的工作件的制造方法的流程图。

图2是根据本发明实施例的各种面向，示出制造方法过程中的工作件的透视图。