[发明专利]集成电路装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201911043913.0 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN111128857A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 巫凯雄 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/8234
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路装置的制造方法,该方法包括:

接收一工作件,包括在该工作件上的一介电层中的一第一凹槽;

沉积一接触填充物于位于该第一凹槽之中且于该介电层之上,以形成一接触部件;

平坦化该工作件的一顶面以移除位于该介电层上的该接触填充物;

沉积一层间介电质层在经平坦化的该工作件的该顶面之上;

形成一第二凹槽于该层间介电质层之中,以暴露该介电层中的该接触填充物;

将该工作件浸泡于一室温离子液体中以凹蚀该接触填充物,其中形成该接触填充物的材料在该室温离子液体中可溶解;以及

沉积一导电层于经凹蚀的该接触填充物之上。

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