[发明专利]半导体功率器件终端结构在审
| 申请号： | 201911030369.6 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112802888A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;刘磊;刘伟;王鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种半导体功率器件终端结构，包括：n型外延层以及位于所述n型外延层中的：至少一个沟槽，所述沟槽包括沟槽上部和沟槽下部两部分；位于所述沟槽上部中的第一电极以及至少位于所述沟槽下部中的第二电极，所述第二电极、所述第一电极、所述n型外延层两两之间由绝缘介质层隔离；与所述沟槽相邻的第一p型掺杂区。本发明实施例提高了半导体功率器件的耐压能力和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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