[发明专利]一种纳米管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911025958.5 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110729360B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;王桂磊;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/775;H01L21/336;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米管器件及其制造方法，提供衬底，所述衬底中形成有第一源漏区；在所述第一源漏区上形成环形柱，所述环形柱包括环形沟道区；在所述环形沟道区的内壁以及外壁上依次形成环形的栅介质层以及栅极；在所述环形沟道区上形成第二源漏区。该方法中，通过在纳米管的内外两侧壁上均形成栅电极，从而在纳米管的纵向内外两侧形成源区‑栅极‑漏区的纳米管器件结构，增加了栅的面积，改善栅控能力，使得器件具有更强的驱动电流，并且其制造难度低，与现有工艺具有良好兼容性，利于实现纳米管器件的量产化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米管器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底中形成有第一源漏区；/n在所述第一源漏区上形成环形柱，所述环形柱包括环形沟道区；/n在所述环形沟道区的内壁以及外壁上依次形成环形的栅介质层以及栅极；/n在所述环形沟道区上形成第二源漏区。/n
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