[发明专利]一种纳米管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911025958.5 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110729360B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;王桂磊;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/775;H01L21/336;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种纳米管器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底中形成有第一源漏区；
在所述第一源漏区上形成环形柱，所述环形柱包括环形沟道区；
在所述环形沟道区的内壁以及外壁上依次形成环形的栅介质层以及栅极；
在所述环形沟道区上形成第二源漏区；
在所述第一源漏区上形成环形柱，包括：
在所述衬底上形成凸柱以及包围所述凸柱的牺牲沟道区；
进行第一覆盖层的填充；
去除所述牺牲沟道区，以形成环形开口；
通过外延生长在所述环形开口中依次形成第一源漏延伸区、环形沟道区以及第二源漏延伸区；
去除所述凸柱以及第一覆盖层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成凸柱以及包围所述凸柱的牺牲沟道区，包括：
利用光刻及刻蚀技术，在所述第一源漏区上形成凸柱；
利用侧墙工艺，在所述凸柱的侧壁上形成包围所述凸柱的牺牲沟道区。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述环形沟道区的内壁以及外壁上依次形成环形的栅介质层以及栅极，包括：
在所述环形柱的内外表面上形成栅介质层；
在所述环形沟道区之外的衬底上形成介质隔离层，所述介质隔离层的厚度不小于第一源漏延伸区的高度；
在所述环形沟道区的内外壁上形成栅极。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述环形沟道区的内壁以及外壁上依次形成环形的栅介质层以及栅极之后，还包括：
进行第二覆盖层的填充；
在所述环形沟道区上形成第二源漏区，包括：
通过外延生长，在所述环形沟道区上形成第二源漏区。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述环形沟道区的壁厚范围为2-30nm。
6.一种纳米管器件，其特征在于，包括：
衬底；
所述衬底中的第一源漏区；
所述第一源漏区上的环形柱，所述环形柱包括环形沟道区；
所述环形沟道区内壁以及外壁上依次层叠的环形的栅介质层以及栅极；
所述环形沟道区上的第二源漏区；
在所述第一源漏区上形成环形柱，包括：
在所述衬底上形成凸柱以及包围所述凸柱的牺牲沟道区；
进行第一覆盖层的填充；
去除所述牺牲沟道区，以形成环形开口；
通过外延生长在所述环形开口中依次形成第一源漏延伸区、环形沟道区以及第二源漏延伸区；
去除所述凸柱以及第一覆盖层。
7.根据权利要求6所述的纳米管器件，其特征在于，所述环形柱为外延结构，还包括环形沟道区下的第一源漏延伸区以及环形沟道区上的第二源漏延伸区。
8.根据权利要求6所述的纳米管器件，其特征在于，所述环形沟道区的壁厚范围为2-30nm。
9.根据权利要求6所述的纳米管器件，其特征在于，所述环形柱的材料为硅、锗或硅锗。
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