[发明专利]一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法有效
| 申请号： | 201911019773.3 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110775977B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 侯新梅;郑子祥;杨涛;刘世纯;王恩会;陈俊红;李斌 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 黄耀威 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，其步骤包括：将研磨后的碳硅化铝湿法球磨处理，得碳硅化铝料浆；将所述碳硅化铝料浆干燥处理，得碳硅化铝粉末；向所述碳硅化铝粉末中加入浓度为20‑40％的氢氟酸，在隔绝空气条件下水浴加热至30‑70℃，搅拌反应36‑48h得反应混合液；将所述反应混合液离心处理，对得到的沉淀洗涤、过滤，再将滤出的固相干燥处理，得到碳化硅粉末材料。本发明提供的一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，反应所需温度低，制得的碳化硅电化学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 质量比 电容 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n将研磨后的碳硅化铝湿法球磨处理，得碳硅化铝料浆；/n将所述碳硅化铝料浆干燥处理，得碳硅化铝粉末；/n向所述碳硅化铝粉末中加入浓度为20-40％的氢氟酸，在隔绝空气条件下水浴加热至30-70℃，搅拌反应36-48h得反应混合液；/n将所述反应混合液离心处理，将分离的固相干燥处理，得到碳化硅粉末材料。/n
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