[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911018299.2 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110729358B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 翟玉浩 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板、有源层、若干第一金属单元、栅极绝缘层、栅极层、平坦层、源极和漏极。在所述基板上依次设置有源层、若干第一金属单元、栅极绝缘层、栅极层、平坦层、源极和漏极。所述源极与所述第一金属单元电连接所述漏极与所述第一金属单元电连接。所述有源层分为第一区域和第二区域。所述有源层的第一区域的氧空位密度大于所述有源层的第二区域的氧空位密度。本申请提供的一种薄膜晶体管及其制备方法提高了器件的电子迁移率，进而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n有源层，所述有源层设置于所述基板上，所述有源层分为第一区域和第二区域，所述有源层的第一区域与所述有源层的第二区域连接，所述有源层的第一区域的氧空位密度大于所述有源层的第二区域的氧空位密度；/n若干第一金属单元，所述若干第一金属单元设置于所述有源层的第一区域上，所述第一金属单元相互绝缘；/n栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层及所述若干第一金属单元上；/n栅极层，所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上；/n平坦层，所述平坦层覆盖于所述有源层、所述若干第一金属单元、所述栅极绝缘层及所述栅极层上；/n源极，所述源极设置于所述平坦层上，所述源极与所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域电连接；以及/n漏极，所述漏极设置于所述平坦层上，所述漏极与所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域电连接。/n
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