[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板、有源层、若干第一金属单元、栅极绝缘层、栅极层、平坦层、源极和漏极。在所述基板上依次设置有源层、若干第一金属单元、栅极绝缘层、栅极层、平坦层、源极和漏极。所述源极与所述第一金属单元电连接所述漏极与所述第一金属单元电连接。所述有源层分为第一区域和第二区域。所述有源层的第一区域的氧空位密度大于所述有源层的第二区域的氧空位密度。本申请提供的一种薄膜晶体管及其制备方法提高了器件的电子迁移率，进而提高了器件的性能。

技术领域

本申请涉及显示面板领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着电子显示技术的不断发展，柔性显示装置以其可弯曲、优良的均匀性和表面平坦性等众多优点，成为了最具发展潜力的新一代显示技术，但由于器件中的有源层的氧空位密度低，影响了器件的电子迁移率，进而影响了器件的性能。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以提高器件的性能。

本申请提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基板；

有源层，所述有源层设置于所述基板上，所述有源层分为第一区域和第二区域，所述有源层的第一区域与所述有源层的第二区域连接，所述有源层的第一区域的氧空位密度大于所述有源层的第二区域的氧空位密度；

若干第一金属单元，所述若干第一金属单元设置于所述有源层的第一区域上，所述第一金属单元相互绝缘；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层及所述若干第一金属单元上；

栅极层，所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上；

平坦层，所述平坦层覆盖于所述有源层、所述若干第一金属单元、所述栅极绝缘层及所述栅极层上；

源极，所述源极设置于所述平坦层上，所述源极与所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域电连接；以及

漏极，所述漏极设置于所述平坦层上，所述漏极与所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域电连接。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述平坦层包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔暴露所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域。所述第二通孔暴露所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述源极包括第一电连接部，所述漏极包括第二电连接部，所述第一电连接部填充于所述第一通孔，且电连接于所述源极和所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域，所述第二电连接部填充于所述第二通孔，且电连接于所述源极和所述第一金属单元和/或所述有源层的第二区域。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述若干第一金属单元的厚度为5纳米-100纳米。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述有源层的厚度为50纳米-100纳米。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述若干金属单元的材料包括Al、Mo和Ti中的一种或几种组合。

本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

提供一基板，在所述基板上形成有源层，所述有源层包括第一区域和第二区域，所述有源层的第一区域与所述有源层的第二区域连接；

在所述有源层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行图案化处理形成若干光刻胶单元，每一所述光刻胶单元位于所述有源层的第二区域上，每一所述光刻胶单元相互间隔；