[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

有源层，所述有源层设置于所述基板上，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)和铟锌氧化物(IZO)中的一种或几种组合；所述有源层包括交替排列的第一区域和第二区域，所述有源层的第一区域与所述有源层的第二区域连接；

若干第一金属单元，所述若干第一金属单元设置于所述有源层的第一区域上，所述第一金属单元之间相互绝缘；所述第一金属单元的材料包括Al、Mo和Ti中的一种或几种组合；所述有源层的第一区域上的所述第一金属单元及所述有源层受到退火热处理，使所述第一金属单元中的金属与所述有源层中所述第一区域的氧原子发生反应，从而所述有源层的第一区域的氧空位密度大于所述有源层的第二区域的氧空位密度；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层及所述若干第一金属单元上；

栅极层，所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上；

平坦层，所述平坦层覆盖于所述有源层、所述若干第一金属单元、所述栅极绝缘层及所述栅极层上；所述平坦层包括第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露其中一个第一金属单元，或者，所述第一通孔暴露其中一个第一金属单元和所述有源层的其中一个第二区域的一部分，所述其中一个第一金属单元与所述其中一个第二区域相邻；所述第二通孔暴露另一个第一金属单元，或者第二通孔暴露另一个第一金属单元和所述有源层的另一个第二区域的一部分，所述另一个第一金属单元与所述另一个第二区域相邻；

源极，所述源极设置于所述平坦层上；所述源极包括第一电连接部，所述第一电连接部填充于所述第一通孔；所述源极通过所述第一电连接部与所述其中一个第一金属单元电连接，或者，所述源极通过所述第一电连接部与所述其中一个第一金属单元和所述有源层的其中一个第二区域的一部分电连接；以及

漏极，所述漏极设置于所述平坦层上；所述漏极包括第二电连接部，所述第二电连接部填充于所述第二通孔；所述漏极通过所述第二电连接部与所述另一个第一金属单元电连接，或者，所述漏极通过所述第二电连接部与所述另一个第一金属单元和所述有源层的另一个第二区域的一部分电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述若干第一金属单元的厚度为5纳米-100纳米。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为50纳米-100纳米。