[发明专利]等离子体刻蚀装置在审
| 申请号： | 201911000922.1 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110729161A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 赵博超;施洋;郑江楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/30;H01J37/305 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种等离子体刻蚀装置。本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔，反应腔内设置有:静电吸盘，静电吸盘用于吸附待处理晶片；等离子体束释放口，等离子体束缚口用于形成轰击待处理晶片的等离子体束；电场发生器，电场发生器用于产生电场；当等离子体刻蚀装置工作时，反应腔内形成有磁场，磁场沿着等离子体束的径向延伸；电场沿等离子体束的轴向延伸。本申请通过电场轴向穿过等离子体束，磁场径向穿过等离子体束，从而使得等离子体束中会形成环向等离子体流，使得等离子体束中的等离子体分布均匀，提高等离子体束的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体束 等离子体刻蚀装置 电场 反应腔 待处理晶片 电场发生器 静电吸盘 磁场 申请 半导体加工设备 等离子体分布 等离子体 等离子体流 磁场径向 径向延伸 轴向穿过 轴向延伸 释放口 轰击 环向 吸附 穿过 束缚 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括反应腔，反应腔内设置有:/n静电吸盘，静电吸盘用于吸附待处理晶片；/n等离子体束释放口，等离子体束缚口用于形成轰击待处理晶片的等离子体束；/n电场发生器，电场发生器用于产生电场；/n反应腔内形成有磁场，当等离子体刻蚀装置工作时，磁场沿着等离子体束的径向延伸；电场沿等离子体束的轴向延伸。/n
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