[发明专利]等离子体刻蚀装置在审
| 申请号： | 201911000922.1 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110729161A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 赵博超;施洋;郑江楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/30;H01J37/305 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体束 等离子体刻蚀装置 电场 反应腔 待处理晶片 电场发生器 静电吸盘 磁场 申请 半导体加工设备 等离子体分布 等离子体 等离子体流 磁场径向 径向延伸 轴向穿过 轴向延伸 释放口 轰击 环向 吸附 穿过 束缚 | ||
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括反应腔，反应腔内设置有:
静电吸盘，静电吸盘用于吸附待处理晶片；
等离子体束释放口，等离子体束缚口用于形成轰击待处理晶片的等离子体束；
电场发生器，电场发生器用于产生电场；
反应腔内形成有磁场，当等离子体刻蚀装置工作时，磁场沿着等离子体束的径向延伸；电场沿等离子体束的轴向延伸。
2.如权利要求1的等离子体刻蚀装置，其特征在于，电场发生器包括相对放置的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接振荡射频源。
3.如权利要求1的等离子体刻蚀装置，其特征在于，磁场在垂直于电场的平面内旋转。
4.如权利要求1或3的等离子体刻蚀装置，其特征在于，圆柱形的磁场发生器可旋转地套设在反应腔外；磁场发生器上形成相对的阳极区和阴极区，阳极区和阴极区之间形成磁场。
5.如权利要求1或3的等离子体刻蚀装置，其特征在于,磁场的磁通量为50～200G。
6.如权利要求1的等离子体刻蚀装置，其特征在于，垂直于电场方向的反应腔两侧相对地设有阳极板和阴极板，阳极板和阴极板之间形成磁场。
7.如权利要求1的等离子体刻蚀装置，其特征在于，反应腔为真空腔，反应腔连有真空泵。
8.如权利要求1的等离子体刻蚀装置，其特征在于，还包括放电顶针，放电顶针的导电端能够周期性地接触待处理晶片。
9.如权利要求8的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述放电顶针的放电端通过推杆与电机连接，电机的转速为400～500rpm。
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