[发明专利]一种防止约束环发生电弧损伤的等离子体处理器和方法在审
| 申请号： | 201910994552.1 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112687510A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王伟娜;涂乐义;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理器，包括一等离子体反应腔，等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，环绕基座设置等离子体约束环和接地环。等离子体约束环的外圈设有一支撑部，所述支撑部与接地环之间设置一导电层，改变支撑部与接地环之间原有的点接触方式为面接触方式，增加等离子体约束环与接地环之间的绝缘接触面积。通过若干个螺钉一体化固定连接等离子体约束环、所述导电层、接地环，降低了等离子体约束环与接地环原有点接触之外区域的距离,实现增加等离子体约束环与接地环之间的电容，降低等离子体约束环和所述接地环之间的电压差，防止低频射频电场下约束环被电弧击穿。本发明还揭示了一种防止约束环发生电弧损伤的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 约束 发生 电弧 损伤 等离子体 处理器 方法 | ||
【主权项】：
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