[发明专利]一种防止约束环发生电弧损伤的等离子体处理器和方法

权利要求书

1.一种等离子体处理器，包括一等离子体反应腔，所述等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，环绕所述基座设置等离子体约束环和位于所述等离子体约束环下方的接地环，其特征在于：所述等离子体约束环包括等离子体约束区域和支撑所述等离子体约束区域的支撑部，所述支撑部与所述接地环之间设置一导电层，用于降低等离子体约束环和所述接地环之间的电压差。

2.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述基座连接一偏置射频电源，所述偏置射频电源输出的射频频率小于等于1MHz。

3.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述导电层为柔性导电薄片。

4.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述接地环与所述导电层之间电接触，所述支撑部与所述导电层接触的区域设有一绝缘层。

5.如权利要求4所述的等离子体处理器，其特征在于：所述等离子体约束环的上表面涂覆有耐等离子体腐蚀的保护涂层，下表面涂覆有绝缘材质形成所述绝缘层。

6.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述导电层为铝镀石墨材质。

7.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述支撑部和所述接地环之间设置有若干个固定装置，通过所述固定装置实现所述等离子体约束环、所述导电层和所述接地环的紧密接触。

8.如权利要求7所述的等离子体处理器，其特征在于，所述若干个固定装置均匀分布在所述支撑部与接地环之间。

9.如权利要求7所述的等离子体处理器，其特征在于：所述固定装置为设置在所述等离子体约束环内部的螺钉，所述螺钉与等离子体不发生接触。

10.如权利要求7所述的等离子体处理器，其特征在于：所述螺钉顶部喷涂有耐等离子体腐蚀的保护涂层。

11.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述等离子体反应腔内设置一上电极，所述上电极与所述基座相对设置，所述上电极接地。

12.一种防止约束环发生电弧损伤的方法，采用一防止约束环发生电弧损伤的等离子体处理器实现的，该等离子体处理器包括一等离子体反应腔，所述等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，所述基座连接一射频电源，环绕所述基座设置等离子体约束环和位于所述等离子体约束环下方的接地环，所述等离子体约束环的外周设置一支撑部，其特征在于，所述防止约束环发生电弧损伤的方法包含步骤：

S1、在约束环上表面涂覆耐等离子体腐蚀的保护涂层，在约束环下表面涂覆绝缘材质形成一绝缘层；

S2、在等离子体约束环的支撑部与接地环之间设置一柔性导电薄片作为导电层,改变所述支撑部与接地环之间原有的点接触方式为面接触方式，增加等离子体约束环与接地环之间的绝缘接触面积；

S3、通过若干个螺钉一体化固定连接等离子体约束环、所述导电层、接地环，降低了等离子体约束环与接地环原有点接触之外区域的距离,实现增加等离子体约束环与接地环之间的电容，降低等离子体约束环和所述接地环之间的电压差。

13.如权利要求12所述的防止约束环发生电弧损伤的方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述螺钉设置在约束环内部，不自约束环伸出；螺钉顶部喷涂有耐等离子体腐蚀的保护涂层。