[发明专利]硅基衬底的加工方法有效
| 申请号： | 201910980307.5 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110783183B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王丛;高达;王经纬;刘铭;刘兴新;于小兵;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝化层，可以有效保护硅片。而且，氢钝化层的脱附温度相对较低，从而有效降低避免了硅片高温脱附钝化层而导致硅片弯折损伤和引入杂质的问题，而且，在选择硅片时，优化硅片筛选标准，从而有效降低了硅基衬底的平整度，提高了硅基衬底的加工质量，方便大面阵器件的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基衬底的加工方法，其特征在于，包括：/n获取硅片；/n对所述硅片进行化学处理，以在所述硅片表面形成氢钝化层；/n对所述硅片进行脱附工艺处理，以去除所述氢钝化层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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