[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910969135.1 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110845242A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 孙卫康;汤志强;李庆春;赵东萍;茹红强;王春华 | 申请（专利权）人： | 山东东大新材料研究院有限公司;深圳市东陶新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B38/08 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 李江 |
| 地址： | 261200 山东省潍坊市坊子*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，属多孔氮化硅陶瓷材料领域，采用空心二氧化硅微珠作为反应原料，经离子渗碳氮处理后获得产物空心氮化硅微珠，且壳壁表面生成纳米级的穿孔；其中真空离子碳氮共渗热处理的温度为680‑950℃，升温速率为5‑20℃/min，保温时间5‑30min，采用的碳源与氮源的质量配比为1:(8‑15)，混合气源的气压为120‑1100Pa；以此产物为原料，仅需添加少量烧结助剂，就可以获得具有极高的孔隙率、孔径结构均匀且有纳米尺寸的二级穿孔的多孔氮化硅材料，极大地提高了材料的过滤吸附、载体催化性能，而且优化介电常数和介电损耗，展现出优异的高频电磁波透过性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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