[发明专利]肖特基二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201910967615.4 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110676307B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄;卜爱民;许春良 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；制备第一阳极金属层；将所述再生长掩膜层、所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层和所述再生长掩膜层上方的所述第一阳极金属层去除，形成凹槽结构；淀积绝缘介质层；将第一区域的绝缘介质层去除，保留第二区域的绝缘介质层，其中，所述第一区域位于所述第一阳极金属层所对应的区域范围内，所述第二区域包括所述凹槽结构所对应的区域。上述方法可以将阳极金属和凹槽完全对齐且可精准控制凹槽深度。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上外延第一n型氧化镓层；/n在所述第一n型氧化镓层上制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；/n制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；/n在所述第二n型氧化镓层上制备第一阳极金属层；/n将所述再生长掩膜层、所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层和所述再生长掩膜层上方的所述第一阳极金属层去除，形成凹槽结构；/n在形成凹槽结构后，淀积绝缘介质层；/n将第一区域的绝缘介质层去除，保留第二区域的绝缘介质层，其中，所述第一区域位于所述第一阳极金属层所对应的区域范围内，所述第二区域包括所述凹槽结构所对应的区域；/n制备正面第二阳极金属层和背面阴极金属层。/n
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