[发明专利]一种新型降低正向残压的单向保护器件在审
| 申请号： | 201910966061.6 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600469A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 吕海凤;赵德益;苏海伟;王允;赵志方;霍田佳 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 31298 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与P型杂质扩散区相连，N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本发明通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型的降低正向残压的单向保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 推结 保护器件 扩散区 残压 正向 金属 衬底硅片 器件阳极 器件阴极 蒸发金属 阳极 衬底片 氧化层 短路 电阻 负阻 开孔 门极 背面 | ||
【主权项】：
1.一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片(301)，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区(302)和推结较深的N型扩散区(305)，在推结较深的P型扩散区(302)有推结较浅的N型杂质扩散区(304)和P型杂质扩散区(303)，推结较深的N型扩散区(305)通过金属与P型杂质扩散区(303)相连，N型杂质扩散区(304)通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区(309)和推结较浅的P型杂质扩散区(307)，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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