[发明专利]平面栅SiCMOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201910945385.1 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582461A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 卢汉汉;邱凯兵;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种平面栅SiC MOSFET及其制造方法，属于半导体领域，能够精准实现短沟道。一种平面栅SiC MOSFET的制造方法，包括：在外延区上形成第一掩膜；刻蚀所述第一掩膜，形成第一注入窗口；通过所述第一注入窗口在所述外延区中形成阱区；对剩余的所述第一掩膜进行刻蚀以增大所述第一注入窗口，得到第二注入窗口；通过所述第二注入窗口在所述阱区中形成浅沟道阱区，其中，所述浅沟道阱区的厚度被设置为能够将所述阱区的横向扩展对沟道端点位置的影响降低到可忽略程度的厚度；以及在形成了所述浅沟道阱区的所述阱区中形成源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 sicmosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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