[发明专利]外延结构和低开启电压晶体管在审
| 申请号： | 201910937902.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110649088A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 颜志泓;蔡文必;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/737 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 孟宪功 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种外延结构和低开启电压晶体管，涉及半导体领域。外延结构包含复合基电极层和复合发射极层。复合基电极层包含第一基电极层和制备在第一基电极层上的第二基电极层。第一基电极层的材料包含In | ||
| 搜索关键词： | 基电极层 晶体管 发射极层 开启电压 外延结构 逐渐增大 电极层 复合基 复合 半导体领域 频率特性 载子迁移 低能隙 基电极 电阻 功耗 制备 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.一种外延结构，其特征在于，包含：/n复合基电极层(10)，包含第一基电极层(101)和制备在所述第一基电极层(101)上的第二基电极层(102)，所述第一基电极层(101)的材料包含In
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