[发明专利]外延结构和低开启电压晶体管在审
| 申请号： | 201910937902.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110649088A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 颜志泓;蔡文必;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/737 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 孟宪功 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基电极层 晶体管 发射极层 开启电压 外延结构 逐渐增大 电极层 复合基 复合 半导体领域 频率特性 载子迁移 低能隙 基电极 电阻 功耗 制备 申请 保证 | ||
1.一种外延结构，其特征在于，包含：
复合基电极层(10)，包含第一基电极层(101)和制备在所述第一基电极层(101)上的第二基电极层(102)，所述第一基电极层(101)的材料包含InxGa1-xAs1-yNy或InxGa1-xAs，所述第二基电极的材料包含InmGa1-mAs；
基于所述第二基电极层(102)制备的复合发射极层(20)；
其中，在靠近所述复合发射极层(20)的方向上，所述第一基电极层(101)中In含量不变，所述第二基电极层(102)中In含量逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述InxGa1-xAs1-yNy中，x＝0.03，x＝3y。
3.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述第一基电极层(101)的材料中，In的组分范围为：3％～20％。
4.根据权利要求3所述的外延结构，其特征在于，所述第一基电极层(101)InxGa1-xAs的材料中，In的组分范围为：7％～102％。
5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述InmGa1-mAs中，在靠近所述复合发射极层(20)的方向上，m的取值从0.05逐渐增至0.15。
6.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述InmGa1-mAs中，在靠近所述复合发射极层(20)的方向上，x的取值从0.03逐渐增至0.2。
7.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述第二基电极层(102)的厚度范围为：单原子层的厚度至30nm。
8.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述复合发射极层(20)的材料包含GanIn1-nP，所述复合发射极层(20)包含：
第一发射极层(201)；
基于所述第一发射极层(201)制备的第二发射极层(202)；
基于所述第二发射极层(202)制备的第三发射极层(203)；
其中，在远离所述复合基电极层(10)的方向上，所述第一发射极层(201)中n的取值逐渐增大，所述第二发射极层(202)中n的取值不变，所述第三发射极层(203)中n的取值逐渐增大。
9.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第一发射极层(201)中n的取值从0.3逐渐增至0.7。
10.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第二发射极层(202)中n的取值为0.3。
11.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第三发射极层(203)中n的取值从0.3逐渐增至0.51。
12.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述复合发射极层(20)的材料中，Ga的组分范围为：30％～70％。
13.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第一发射极层(201)的厚度范围为：1nm～5nm，所述第二发射极层(202)的厚度范围为：15nm～25nm，所述第三发射极层(203)的厚度范围为：5nm～10nm。
14.一种低开启电压晶体管，其特征在于，包含权利要求1～13任一项所述的外延结构。
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