[发明专利]一种通孔结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种通孔结构及其制作方法，本方案采用正面孔洞和背面孔洞相结合的方式制程通孔。通过第一氮化层的沉积，实现背面蚀刻的孔洞与正面蚀刻的孔洞的对接，同时也保证了整体侧壁的垂直度。在进行电镀金属时沉积金属层的厚度与电镀的时间和电流密度成正比，形成更厚的沉积层封合正面孔洞。避免蜡流进深孔，避免后续工艺去蜡和蓝宝石。通过正面孔洞和背面孔洞相结合的方式保证了所涂布光阻的厚度，从而避免显影轮廓及晶圆表面异常等问题的发生，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。提升制程效率，减少光阻用量，避免显影时发生轮廓及晶圆表面异常，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。

主权项

1.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待通孔处显影；/n以第一光阻层为掩膜，蚀刻半导体衬底制得正面孔洞；/n去除第一光阻层，并沉积第一氮化层；/n溅镀籽晶层，并沉积金属到正面孔洞处；/n半导体衬底正面覆盖蜡和蓝宝石后进行背面工艺；/n在半导体衬底背面涂布第二光阻层，在待通孔处显影，以第二光阻层为掩膜蚀刻半导体衬底以及第一氮化层，制得与正面孔洞互通的背面孔洞，形成通孔结构。/n