[发明专利]一种石墨烯包覆纳米铜的方法在审
| 申请号： | 201910934222.3 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110666158A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;匡自亮;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;B22F1/00;C23C16/26;C23C16/455;C23C16/56;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 阎冬;李明 |
| 地址： | 510006 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯包覆的纳米及其制备铜方法，首先选取一种碳源，以纳米铜颗粒作为生长基体，还原气体为保护气体，采用化学气相沉积法(CVD)在能量(热能、射频、激光等)作用下激化气体反应物在生长基体上生成高质量的石墨烯，形成石墨烯包覆的纳米铜，纳米铜基CVD生长的石墨烯薄膜具有良好的单层性和连续性。本发明可以通过控制碳源的加入量、生长温度、气体配比等有效控制生成的石墨烯层数，其中碳源来源丰富，制备工艺简单、温和、成本较低，可靠性好，可以大规模工业化生产。利用石墨烯的包覆，可以提高纳米铜的抗氧化性，同时增加纳米铜的导热性，作为很好的半导体固晶和互连材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米铜 石墨烯 包覆的 生长 导热性 大规模工业化生产 化学气相沉积 纳米铜颗粒 气体反应物 石墨烯薄膜 保护气体 互连材料 还原气体 抗氧化性 气体配比 石墨烯层 有效控制 制备工艺 包覆 单层 固晶 射频 制备 半导体 激光 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：包括/nS1、将纳米铜颗粒进行有机溶剂清洗后置于去离子水中清洗并于40-100℃烘干；/nS2、将烘干的纳米铜颗粒均匀置于CVD反应炉中，持续通入惰性气体3～5min，抽真空至10～50pa；/nS3、通入体积比为1～4:1，流速为0.05L/min～1L/min的碳源气体与还原性气体的混合气体，调节反应炉压强至50～200pa，温度为650～900℃，旋转CVD反应炉，反应时间为0.1h～0.5h；/nS4、400～550℃下退火0.2h～0.4h；/nS5、停止通入所述混合气体，将所述CVD反应炉冷却至室温。/n
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