[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910931434.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582335B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘一剑 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其制备方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成第一介电层；刻蚀第一介电层，在第一介电层中形成与衬底的表面具有预定夹角的倾斜的沟槽；在第一介电层和沟槽的开口处快速沉积第二介电层以在沟槽的内部形成空气隙。由于在沟槽内形成了空气隙，由此增加了空气介质的占比，即增加了低k介质的占比，由此能够大大降低半导体器件的RC延迟，提高半导体器件的电信号传输速率，由此降低系统的功耗，改善半导体器件的使用环境，提高半导体器件的使用寿命。该空气隙的形成方式比传统工艺步骤简洁有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
