[发明专利]基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料及其制法和应用

摘要

一种基于碳酸钙制备的硅基Si‑C负极材料及其制法和应用，属于电池负极材料制备领域，该基于碳酸钙制备的硅基Si‑C负极材料的制备方法是以硅钙合金和碳酸钙为原料，在氯化钙基或氯化钙‑氯化镁基熔盐中进行反应制备硅基Si‑C负极材料，将制备的硅基Si‑C负极材料作为电池负极，能够具有良好的比容量和循环性能。该方法能够通过盐的组分，合成温度，合成时间，搅拌转速，调控硅和碳的分布，调控产物形貌和颗粒尺寸。该方法实现了低成本、调控制备硅基Si‑C负极材料，操作过程简单。

主权项

1.一种基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：准备/n(1)将硅钙合金、碳酸钙、熔盐原料烘干去除水分，其中，熔盐为氯化钙基熔盐或氯化钙-氯化镁基熔盐；/n(2)在惰性气体保护下，按配比，将硅钙合金、烘干的碳酸钙、烘干的熔盐原料，研磨后，混合均匀，得到混合物料，密封；/n(3)将混合物料置于反应器中的内嵌坩埚中，密封反应器；/n(4)向反应器内通入惰性气体，维持反应器惰性气氛，并保证反应器内为正压；通入惰性气体的同时，将反应器升温；/n步骤2：合成/n反应器升温至合成温度后，在合成温度恒温保温1～5h，反应得到熔盐体系；其中，合成温度为600-900℃；/n步骤3：后处理/n反应得到的熔盐体系，置于冷却容器中，冷却，磨碎、盐酸清洗去除盐、固液分离、固体产物水洗、烘干，得到硅基Si-C负极材料。/n