[发明专利]基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料及其制法和应用有效

专利信息
申请号: 201910927328.0 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110600711B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 谢宏伟;徐亚男;王锦霞;尹华意;宋秋实;宁志强 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/134;H01M10/0525
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 马海芳
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 基于 碳酸钙 制备 si 负极 材料 及其 制法 应用
【权利要求书】:

1.一种基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:准备

(1)将硅钙合金、碳酸钙、熔盐原料烘干去除水分,其中,熔盐为氯化钙基熔盐或氯化钙-氯化镁基熔盐;

其中,所述的氯化钙基熔盐为氯化钙、氯化钙-氯化钠、氯化钙-氯化钾、氯化钙-氯化钠-氯化钾中的一种,其中,氯化钙基熔盐,氯化钙为主盐;

所述的氯化钙-氯化镁基熔盐为氯化钙-氯化镁、氯化钙-氯化镁-氯化钠、氯化钙-氯化镁-氯化钾、氯化钙-氯化镁-氯化钾-氯化钠中的一种,其中,氯化钙-氯化镁基熔盐中,氯化钙-氯化镁为主盐;

(2)在惰性气体保护下,按配比,将硅钙合金、烘干的碳酸钙、烘干的熔盐原料,研磨后,混合均匀,得到混合物料,密封;

其中,当熔盐为氯化钙基熔盐,按摩尔比,碳酸钙:硅钙合金中的CaSi2=1:(2~2.5);按摩尔比,氯化钙基熔盐中的氯化钙:硅钙合金中的CaSi2≥5:1;

当熔盐为氯化钙-氯化镁基盐时,按摩尔比,碳酸钙:硅钙合金中的CaSi2=1:(2.5~5);按摩尔比,氯化钙-氯化镁基盐中的氯化钙:硅钙合金中的CaSi2≥5:1,并且,按摩尔比,氯化钙-氯化镁基盐中,氯化钙:氯化镁≤5:3;

(3)将混合物料置于反应器中的内嵌坩埚中,密封反应器;

(4)向反应器内通入惰性气体,维持反应器惰性气氛,并保证反应器内为正压;通入惰性气体的同时,将反应器升温;

步骤2:合成

反应器升温至合成温度后,在合成温度恒温保温1~5h,反应得到熔盐体系;其中,合成温度为600-900℃;

步骤3:后处理

反应得到的熔盐体系,置于冷却容器中,冷却,磨碎、盐酸清洗去除盐、固液分离、固体产物水洗、烘干,得到硅基Si-C负极材料。

2.根据权利要求1所述的基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料的制备方法,其特征在于,在步骤1(1)中,熔盐去除水分的工艺为:将熔盐置于高温真空干燥炉中,在300~400℃,压力为-0.1MPa以下,干燥10~15h,除去吸附水和部分结晶水,得到干燥的熔盐原料。

3.根据权利要求1所述的基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤2中,当反应器升温至合成温度,并恒温至熔盐融化为液态后,将搅拌桨插入熔盐中,在恒温反应过程中维持搅拌,搅拌桨转速v为0v≤700r/min。

4.一种基于碳酸钙制备的硅基Si -C负极材料,其特征在于,采用权利要求1或3所述的制备方法制得;当静态合成基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料时,产物颗粒粒径为5-50μm;当搅拌合成基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料时,产物颗粒粒径为50-500nm。

5.权利要求4所述的基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料的应用,其特征在于,将基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料用于作为锂离子电池负极材料。

6.一种负极材料,其特征在于,包括权利要求4所述的基于碳酸钙制备的硅基Si-C负极材料。

7.一种电极片,其特征在于,包括权利要求6所述的负极材料,所述的负极材料还包括粘结剂、导电剂和溶剂。

8.一种锂离子电池,其特征在于,包括权利要求7所述的电极片,静态合成的硅基Si-C负极材料,其首次充放电库伦效率76%~79%,首次放电达到2670~2900mAh/g;以0.1A·g-1电流密度循环400圈,可逆循环比容量为1200~1350mAh/g;搅拌合成的硅基Si-C负极材料,其首次充放电库伦效率75%~78%,首次放电达到2710~2910mAh/g;以0.1A·g-1电流密度循环500圈,可逆循环比容量为1200~1550mAh/g。

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