[发明专利]磁存储器器件和集成系统芯片在审
申请号: | 201910927000.9 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110970552A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 姜慧如;林仲德;曹敏;蔡瀚霆;许秉诚;何彦忠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/02;H01L27/22 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及磁存储器器件。该磁存储器器件包括:底部电极;选择器层,设置在底部电极上方;以及MTJ堆叠件,设置在选择器层上方,并且包括参考层和自由层,自由层设置在参考层上方并且通过隧道阻挡层与参考层分隔开。磁存储器器件还包括设置在MTJ堆叠件上方的调制层以及设置在开关阈值调制层上方的顶部电极。选择器层配置为基于所施加的偏压来导通和关闭电流。本发明的实施例还涉及集成系统芯片。 | ||
搜索关键词: | 磁存储器 器件 集成 系统 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910927000.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。