[发明专利]一种金属表面残胶的去除方法在审
| 申请号： | 201910923048.2 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110610852A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 唐红梅;杨亚峰;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 32283 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种金属表面残胶的去除方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域，尤其涉及一种金属表面残胶的去除方法。提供了一种将Ag金属表面的残胶去除干净，同时又不损伤金属表面的一种金属表面残胶的去除方法。本发明中使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸，加热情况下，能和几乎所有金属发生化学反应（除了金与铂）。高浓度的硫酸有强烈的吸水性，可用作脱水剂，该处就使用低温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落，从而达到去除的目的。本发明具有方法简便，能将Ag金属表面的残胶去除干净等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 残胶 金属表面 去除 浓硫酸 硫酸 半导体制造技术 化学反应 分立器件 脱水剂 吸水性 可用 强酸 碳化 加热 损伤 金属 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属表面残胶的去除方法，其特征在于，/n1.1）在无尘室内，将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中；/n1.2）将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1）的清洗槽中进浸泡；/n1.3）将步骤1.2）中浸泡后的Ag金属产品取出，放入大量的水中冲洗表面的酸液，祛除表面的残胶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
