[发明专利]一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法在审
| 申请号： | 201910889775.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110610851A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚;白靖宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 44372 深圳市六加知识产权代理有限公司 | 代理人： | 向彬 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法。其中在进行TMAH工艺之前，方法包括：对晶圆的边缘进行离子注入，向晶圆的边缘注入指定离子；其中，被注入指定离子的晶圆的边缘在TMAH工艺中，相比较被刻蚀材料具有高刻蚀选择比。本发明通过测试实验找到了一种改进方案，通过在晶圆边缘上直接离子注入(包括C离子和/或B离子)，来改善在TMAH工艺中对晶圆边缘造成的腐蚀问题。并且，经过测试验证，等同TMAH工艺测试环境下，现有技术中会发生大于2000埃/min的刻蚀速率，在本发明改进方案中刻蚀速率会被降低到10埃/min以下。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 晶圆边缘 晶圆 刻蚀 半导体技术领域 刻蚀选择比 测试实验 工艺测试 刻蚀材料 直接离子 改进 验证 腐蚀 测试 | ||
【主权项】：
1.一种在TMAH工艺中保护晶圆边缘的方法，其特征在于，在进行TMAH工艺之前，方法包括：/n对晶圆的边缘进行离子注入，向晶圆的边缘注入指定离子；其中，被注入指定离子的晶圆的边缘在TMAH工艺中，相比较被刻蚀材料具有高刻蚀选择比。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
