[发明专利]原子层沉积法形成氮化物膜的方法有效
| 申请号： | 201910912457.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110468388B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 康俊龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种原子层沉积法形成氮化物膜的方法，包括：步骤S1：通入第一源气体至反应室中，所述第一源气体被吸附到位于所述反应室内的不同高度上的各个衬底的表面；步骤S2：除去未被吸附的所述第一源气体；步骤S3：通入第二源气体至所述反应室中，且所述第二源气体与各个所述衬底表面上吸附的第一源气体发生反应，以在各个所述衬底的表面上形成氮化物膜；在上述每一步骤中均向所述反应室中通入第三气体，且所述第三气体在步骤S1和步骤S3中的流量大于其他步骤中的流量。通过在通入第一源气体和第二源气时增加第三气体流量的方法，改变反应室上中下不同位置的反应源气体浓度，提高炉内氮化物膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 形成 氮化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原子层沉积法形成氮化物膜的方法，其特征在于，包括：/n步骤S1：通入第一源气体至反应室中，所述第一源气体被吸附到位于所述反应室内的不同高度上的各个衬底的表面；/n步骤S2：除去所述反应室中未被吸附的所述第一源气体；/n步骤S3：通入第二源气体至所述反应室中，且所述第二源气体与各个所述衬底表面上吸附的第一源气体发生反应，以在各个所述衬底的表面上形成氮化物膜；/n在上述每一步骤中均向所述反应室中通入第三气体，且所述第三气体在步骤S1和步骤S3中的流量大于其他步骤中的流量。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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