[发明专利]一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 201910910442.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110707154A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 刘静;王琳倩;黄忠孝 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/06 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 涂秀清 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，势垒层上表面且位于钝化层左右两端分别设置有源极和漏极，势垒层上表面且位于钝化层中部设置有栅极；势垒层上设置有凹槽结构。缓冲层由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×10 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 钝化层 凹槽结构 缓冲层 上表面 漏极 源极 电流变化量 电流崩塌 局部凹槽 依次设置 衬底 减小 | ||
【主权项】：
1.一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)和钝化层(4)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)左右两端分别设置有源极(6)和漏极(7)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)中部设置有栅极(5)；所述势垒层(3)上且位于所述栅极(5)和所述漏极(7)之间设置有凹槽结构(8)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910910442.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
